台积电2nm工艺芯片或将于2025年量产
台积电2nm工艺芯片或将于2025年量产，台积电也在积极研发2nm工艺，预计将会在2025年实现量产，3nm工艺计划将会在8月份试产，台积电2nm工艺芯片或将于2025年量产。
台积电2nm工艺芯片或将于2025年量产1全球半导体代工厂台积电刚刚证实，其 2nm工艺节点的生产正在按计划进行。这意味着具有未知功能的计算机芯片即将问世。
根据目前的估计，基于2nm架构的芯片将在2025年进入量产阶段。
信息来自台积电 (TSMC) 首席执行官魏伟在财报电话会议上披露。台积电首先确认它一直在 2020 年开发 2nm 工艺节点，但它的细节非常少。这一次，该公司透露了更多关于节点架构的信息，并分享了计划路线图的新更新。
作为财报电话会议的一部分，我们分享了大量技术信息。新的 N2 节点将依赖环栅 (GAA) 晶体管，这标志着其当前的鳍式场效应晶体管 (FinFET) 结构发生了变化。这些节点将继续基于极紫外 (EUV) 光刻技术制造。
这样的技术细节对大多数最终用户来说可能意义不大，但台积电在性能方面的期望并没有太多。然而，它并不是第一家采用 2nm 工艺的代工厂，它的一些竞争对手已经取得了一些重大进展。 IBM 去年推出了其首款 2nm 芯片。
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台积电2nm工艺芯片或将于2025年量产3近期传出台积电（TSMC）在3nm工艺开发上取得突破，第二版3nm制程的N3B会在今年8月份率先投片，第三版3nm制程的N3E的量产时间可能由原来的2023年下半年提前到2023年第二季度。去年台积电总裁魏哲家曾表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。
在实现3nm工艺上的突破后，台积电似乎对2nm工艺变得更加有信心。据TomsHardware报道，本周台积电总裁魏哲家证实，N2制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，，制造的过程仍依赖于现有的极紫外（EUV）光刻技术。预计台积电在2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批2nm芯片。
魏哲家认为，台积电N2制程节点在研发上已走上正轨，无论晶体管结构和工艺进度都达到了预期。
随着晶体管变得越来越细小，台积电采用新工艺技术上的速度也变慢了，以往大概每两年就会进入一个新的制程节点，现在则要等更长的时间。N2制程节点的时间表一直都不太确定，台积电在2020年首次确认了该项工艺的研发，根据过往信息，2022年初开始建设配套的晶圆厂，预计2023年中期完成建筑框架，2024年下半年安装生产设备。
